| 型号： | MRF5812GR2 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Microsemi Power Products Group | 描述： | TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) |
| MRF5812GR2 PDF |  |
| 产品目录绘图 | MRF5812(GR1,R2) Top |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| 频率 - 转换 | 5GHz |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| 增益 | 13dB ~ 15.5dB |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 50mA，5V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 200mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1635 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MRF5812GR2DKR MRF5812R2DKR-ND MRF5812R2MIDKR MRF5812R2MIDKR-ND |